长鑫存储技术有限公司张冲获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利物理气相沉积装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116815141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310760690.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权物理气相沉积装置和方法是由张冲设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本物理气相沉积装置和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种物理气相沉积装置和方法，物理气相沉积装置包括反应腔室、第一磁控组件、支撑部以及第二磁控组件。反应腔室的顶部设有靶材。第一磁控组件设置于靶材的背面。第二磁控组件设置于支撑部的背面。第一磁控组件工作时在靶材处产生磁场，使得等离子体的正离子被阴极负电所吸引，轰击靶材，撞出靶材的原子，并沉积到衬底上得到膜层；此外，第二磁控组件工作时产生的磁场线与第一磁控组件产生的磁场线互补，不仅能进一步地增大电子碰撞几率，提高沉积速率，还能改变电子分布轨迹，使得靶材上各个部位的磁场强度相对均匀一致，这样靶材各个位置厚度均一性较好，进而能提高靶材使用率，延长靶材的使用寿命，降低成本。
本发明授权物理气相沉积装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种物理气相沉积装置，其特征在于，所述物理气相沉积装置包括： 反应腔室，所述反应腔室的顶部设有靶材； 第一磁控组件，所述第一磁控组件设置于所述靶材的背面；所述第一磁控组件包括第一安装架、连接于所述第一安装架上的多个第一永磁铁以及与所述第一安装架相连的第一驱动机构，所述第一驱动机构用于驱动所述第一安装架转动； 支撑部，所述支撑部位于所述反应腔室的内部，并用于支撑衬底，所述支撑部与所述靶材相对设置；以及 第二磁控组件，所述第二磁控组件设置于所述支撑部的背面,所述第一磁控组件工作时产生的磁场线与所述第二磁控组件工作时产生的磁场线互补； 其中，所述第二磁控组件包括第二安装架、连接于所述第二安装架上的多个第二永磁铁，所述第二安装架固定地连接于所述支撑部的背面，多个所述第二永磁铁相应为不可转动地设置于所述支撑部的背面。
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