长鑫存储技术有限公司鲍宇获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利化学机械研磨工艺方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117047653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210485451.3，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权化学机械研磨工艺方法与装置是由鲍宇设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本化学机械研磨工艺方法与装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种化学机械研磨工艺方法与装置，涉及半导体制造技术领域，包括：提供形成有介质层与导电层的基底，使用第一研磨液和第二研磨液的混合研磨液对放置于研磨盘上的基底进行化学机械研磨，以去除介质层上表面覆盖的导电层；使用清洗液对放置于研磨盘上的基底进行冲洗后，再使用第二研磨液对放置于研磨盘上的基底进行化学机械研磨，以去除部分介质层，使介质层的上表面低于填充在凹槽内的导电层的上表面，从而保证凹槽内的导电层能够凸出于介质层的表面，提升了基于单个研磨盘的CMP工艺的产品良率。
本发明授权化学机械研磨工艺方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种化学机械研磨工艺方法，其特征在于， 包括： 提供形成有介质层与导电层的基底，所述介质层具有凹槽，所述导电层覆盖在所述介质层的上表面且填充在所述凹槽内，所述导电层包括钨层； 使用第一研磨液和第二研磨液的混合研磨液对放置于研磨盘上的所述基底进行化学机械研磨，以去除所述介质层的上表面覆盖的所述导电层； 所述混合研磨液对所述导电层的研磨速率大于对所述介质层的研磨速率； 使用清洗液对放置于所述研磨盘上的所述基底进行冲洗，以去除所述基底上残留的所述混合研磨液； 使用所述第二研磨液对放置于所述研磨盘上的所述基底进行化学机械研磨，以去除部分所述介质层，使所述介质层的上表面低于填充在所述凹槽内的所述导电层的上表面，所述第二研磨液对所述导电层的研磨速率小于对所述介质层的研磨速率； 其中，所述混合研磨液中，所述第一研磨液和所述第二研磨液的质量比为1:1～1:4； 所述第一研磨液包括基液、催化剂及稳定剂，所述第二研磨液的成分与所述基液相同。
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