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长鑫存储技术有限公司秦建勇获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利带隙基准电路与芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117130417B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210557879.4,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权带隙基准电路与芯片是由秦建勇设计研发完成,并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

带隙基准电路与芯片在说明书摘要公布了:本公开提供一种带隙基准电路与芯片。带隙基准电路包括:反馈晶体管,源极用于连接第一电源,漏极用于连接第一节点;基准设定模块,包括并联的第一桥臂和第二桥臂,第一桥臂包括顺次串联的第一电阻单元和第一电压调节单元,第二桥臂包括顺次串联的第二电阻单元、第三电阻单元和第二电压调节单元,第一电阻单元和第二电阻单元均连接第一节点且阻值相等,第一电压调节单元和第二电压调节单元均接地;放大模块,反相输入端连接第一桥臂,同相输入端连接第二桥臂,输出端连接反馈晶体管的栅极;输出晶体管,栅极连接放大模块的输出端,源极连接第一电源,漏极作为带隙基准电路的输出端。本公开实施例可以提高带隙基准电路的驱动能力和增益。

本发明授权带隙基准电路与芯片在权利要求书中公布了:1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括: 反馈晶体管,源极用于连接第一电源,漏极用于连接第一节点; 基准设定模块,包括并联的第一桥臂和第二桥臂,所述第一桥臂包括顺次串联的第一电阻单元和第一电压调节单元,所述第二桥臂包括顺次串联的第二电阻单元、第三电阻单元和第二电压调节单元,所述第一电阻单元和所述第二电阻单元均连接所述第一节点且阻值相等,所述第一电压调节单元和所述第二电压调节单元均接地; 放大模块,反相输入端连接所述第一桥臂,同相输入端连接所述第二桥臂,输出端连接所述反馈晶体管的栅极; 输出晶体管,栅极连接所述放大模块的输出端,源极连接所述第一电源,漏极作为所述带隙基准电路的输出端; 所述放大模块包括一级放大模块和偏置单元,所述偏置单元包括一级偏置晶体管,所述一级放大模块的第一端用于连接所述第一电源,第二端连接所述偏置单元中的所述一级偏置晶体管的漏极,所述一级放大模块包括: 第一P型晶体管,源极连接所述第一电源,栅极和漏极均连接第二节点; 第二P型晶体管,源极连接所述第一电源,栅极连接所述第二节点,漏极连接第三节点; 第一放大单元,包括: 第一N型晶体管,栅极连接所述放大模块的同相输入端,源极与所述偏置单元中的一级偏置晶体管的漏极电连接,漏极连接第四节点,所述第四节点与所述第二节点电连接; 第二N型晶体管,栅极连接所述放大模块的反相输入端,源极与所述偏置单元中的一级偏置晶体管的漏极电连接,漏极连接第五节点,所述第五节点与所述第三节点电连接; 其中,所述一级偏置晶体管的栅极用于接收偏置信号,源极接地; 所述第一放大单元还包括: 第三N型晶体管,栅极连接所述第二电阻单元,源极连接所述第四节点,漏极连接所述第二节点; 第四N型晶体管,栅极连接所述第一电阻单元,源极连接所述第五节点,漏极连接所述第三节点; 其中,所述第三N型晶体管的栅极与所述第一节点之间的电阻等于所述第四N型晶体管的栅极与所述第一节点之间的电阻,所述第三N型晶体管的栅极与所述第一节点之间的电阻小于所述第一N型晶体管的栅极与所述第一节点之间的电阻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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