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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种高强度TaMoNbCrTix难熔高熵合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117385250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311151913.9，技术领域涉及：C22C30/00；该发明授权一种高强度TaMoNbCrTix难熔高熵合金及其制备方法是由李小强;高昇庆;范佳峰;潘存良;朱德智;屈盛官;杨超设计研发完成，并于2023-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高强度TaMoNbCrTix难熔高熵合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于高熵合金技术领域，公开了一种高强度TaMoNbCrTix难熔高熵合金及其制备方法。本发明的TaMoNbCrTix0.25≤x≤1难熔高熵合金由BCC基体相和两种沉淀相组成，组织均匀，晶粒细小，室温压缩屈服强度为2410～3229MPa、抗压强度为2686～3253MPa，断裂时的应变量为11.2％～16.8％，硬度为662～792HV。本发明还公开了上述难熔高熵合金的制备方法，该方法将机械合金化和放电等离子烧结相结合，成分控制灵活，在较低烧结温度≤1200℃下便可实现合金的快速成型，有效解决了传统电弧熔炼所制备合金组织粗大、室温力学性能差的问题。

本发明授权一种高强度TaMoNbCrTix难熔高熵合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高强度TaMoNbCrTi_x难熔高熵合金的制备方法，其特征在于：所述高强度TaMoNbCrTi_x难熔高熵合金中，0.25≤x≤1，x为Ti的相对原子比；所述制备方法包括如下步骤：1采用机械合金化法制备TaMoNbCrTi_x难熔高熵合金粉末：将Ta、Mo、Nb、Cr、Ti五种单质粉末按Ta、Mo、Nb、Cr和Ti的摩尔比为1:1:1:1:0.25~1的比例混合后进行高能球磨，不添加任何过程控制剂，保护气氛为氩气，球料重量比为5:1~15:1，球磨转速为250~350rpm，球磨时间为10~70h，每球磨30min停机休息10min，得到单相BCC结构的合金粉末；2采用放电等离子烧结技术制备TaMoNbCrTi_x难熔高熵合金块体：将步骤1得到的合金粉末在真空条件下进行放电等离子烧结，采用直流脉冲电流，脉冲电流通断比为12:2；升温速率为50~150℃min；烧结温度为1000~1200℃；烧结压力为20~40MPa；保温时间为5~15min；烧结完成后卸除压力，随炉冷却至室温；所述方法制备得到的TaMoNbCrTi_x难熔高熵合金，其显微组织由等轴晶基体相和两种不规则状沉淀相组成，基体相为BCC结构，沉淀相为富集Cr、Ta、Nb的Laves相和富集Ti、O、N的FCC相；所述基体相的平均晶粒尺寸在0.32~0.51μm之间，所述沉淀相的平均尺寸分别在0.23~0.75μm和0.21~0.76μm之间。

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