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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种多通道摩擦复合型磁流变阻尼器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117537031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311390073.1，技术领域涉及：F16F9/53；该发明授权一种多通道摩擦复合型磁流变阻尼器是由孙亮明;李忻;徐婷;徐训设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多通道摩擦复合型磁流变阻尼器在说明书摘要公布了：本发明涉及阻尼装置领域，尤其是一种多通道摩擦复合型磁流变阻尼器，包括承载机构，其包括阻尼板和密封缸，所述阻尼板两端设置有转接板，所述阻尼板贯穿密封缸，所述阻尼板位于密封缸内呈等间距分布；阻尼机构，其包括位于所述密封缸内的磁流变液，以及设置于所述阻尼板两侧的限位块，所述限位块的两端与密封缸内壁固定连接，且所述阻尼板固定套接有电磁组件。该装置的阻尼板承压后产生S形弹性形变，增加在磁流变液中运动阻力的同时与限位块摩擦，以及通过多层分布的阻尼板和电磁组件高效的控制磁流变液，有效的解决了基于传统阻尼器改型的磁流变液阻尼装置不能充分发挥磁流变液特性、限制磁流变液阻尼器高性能应用的问题。

本发明授权一种多通道摩擦复合型磁流变阻尼器在权利要求书中公布了：1.一种多通道摩擦复合型磁流变阻尼器，其特征在于：包括， 承载机构100，其包括阻尼板101和密封缸103，所述阻尼板101两端设置有转接板102，所述阻尼板101贯穿密封缸103，所述阻尼板101位于密封缸103内呈等间距分布； 阻尼机构200，其包括位于所述密封缸103内的磁流变液，以及设置于所述阻尼板101两侧的限位块201，所述限位块201的两端与密封缸103内壁固定连接，且所述阻尼板101固定套接有电磁组件202，所述电磁组件202分布于限位块201的顶端和底端，所述电磁组件202由导磁的半壳202a和线圈202b组成； 所述阻尼板101与转接板102之间互相垂直，且两块所述转接板102互相远离的两端均设置有钢板104，所述转接板102呈矩形设置，且所述转接板102的四角均设置有第一螺丝106，且所述第一螺丝106的杆部均垂直贯穿钢板104； 所述密封缸103的顶端和底端均开设有环形槽103a，且所述环形槽103a和密封缸103共轴，所述密封缸103与转接板102之间设置有弹簧107，且所述弹簧107的一端与环形槽103a套接，所述弹簧107的另一端挤压转接板102，且所述阻尼板101套接于弹簧107内； 所述密封缸103的两端均开设有插槽103b，且所述插槽103b的内壁沿其一周开设有条形槽103c，所述条形槽103c密封套接有密封圈103d，所述阻尼板101与插槽103b插接，且所述阻尼板101的周壁与密封圈103d挤压接触； 所述密封缸103内设置有矩形管108，且所述矩形管108的两端与密封缸103内壁密封连接，所述矩形管108分布于电磁组件202的两侧； 所述密封缸103的两端位于插槽103b两侧设置有导杆109，且所述导杆109垂直于密封缸103，所述导杆109与阻尼板101贴合设置，且所述导杆109贯穿转接板102和钢板104。

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