华中科技大学叶冬获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种采用等离子体辅助的绝缘表面电流体喷印方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117549685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311739639.7，技术领域涉及：B41M5/00；该发明授权一种采用等离子体辅助的绝缘表面电流体喷印方法及应用是由叶冬;王子儒;李奥康;杨龙康;黄永安设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用等离子体辅助的绝缘表面电流体喷印方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于柔性电子微纳制造相关技术领域，其公开了一种采用等离子体辅助的绝缘表面电流体喷印方法及应用，该方法包括以下步骤：采用等离子体对绝缘基板的表面进行改性处理，以向所述绝缘基板的表面注入活性基团来提升绝缘基板的表面电导率和体电导率，进而进行电流体喷印；其中，经等离子体处理后的绝缘基板表面形成有珊瑚状结构。等离子体改性处理改变了绝缘基板表面的微纳结构，向绝缘基板表面注入活性基团，改变了绝缘基板表面的电荷陷阱能级分布，提升了绝缘基板的表面电导率和体电导率，这些改变抑制了绝缘表面的电荷积累并加速了电荷耗散，消除了电场畸变从而优化了绝缘基板表面的电流体喷印效果。
本发明授权一种采用等离子体辅助的绝缘表面电流体喷印方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种采用等离子体辅助的绝缘表面电流体喷印方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 采用等离子体对绝缘基板的表面进行改性处理，等离子体处理绝缘基底时，将绝缘基底置于下基板衬盘之后将真空腔抽真空，然后通过氧气源向真空腔中通入氧气并开启激励电压产生中性粒子和离子，其中离子轰击基板表面，以向所述绝缘基板的表面注入羟基基团来提升绝缘基板的表面电导率和体电导率，进而进行电流体喷印； 其中，等离子体处理之后的绝缘基板表面会出现纳米尺寸的不规则颗粒，以在所述绝缘基板表面形成珊瑚状结构。
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