中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所商文玲获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利PMUT阵列超声换能器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117619710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311744103.4，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权PMUT阵列超声换能器是由商文玲;李加东;苗斌;王丹芮;姚术涛;塔桂峰;刘浩杰设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本PMUT阵列超声换能器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PMUT阵列超声换能器，其包括：PCB衬底和多个相互独立的PMUT阵元，所述PCB衬底上设有多个阵列排布的贴片区域，所述PMUT阵元可拆卸地接合于所述贴片区域，且所述PMUT阵元与所述贴片区域一一对应。本发明提供的PMUT阵列超声换能器中的每个PMUT阵元都是相互独立、可拆卸替换的，可以根据不同的超声波发射和接收的需求，选择不同的PMUT阵元组合成PMUT阵列超声换能器，从而实现多频率和宽带宽的超声波发射和接收，提高PMUT阵列超声换能器的可重用性和适应性。
本发明授权PMUT阵列超声换能器在权利要求书中公布了：1.一种PMUT阵列超声换能器，其特征在于，包括： PCB衬底，所述PCB衬底上设有多个阵列排布的贴片区域； 多个相互独立的PMUT阵元，所述PMUT阵元可拆卸地接合于所述贴片区域，且所述PMUT阵元与所述贴片区域一一对应； 其中，所述PMUT阵元包括芯片层，所述芯片层包括从下至上依次层叠设置的基底层、氧化层和支撑层，所述基底层上设有贯穿所述基底层的第一空腔，所述贴片区域对应于所述第一空腔处设有贯穿所述PCB衬底的第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔同轴。
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