中物院成都科学技术发展中心刘显波获国家专利权
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龙图腾网获悉中物院成都科学技术发展中心申请的专利一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311509782.7，技术领域涉及：C04B35/465；该发明授权一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法是由刘显波;刘彤;李寅川;李绍敏;王正上;崔旭东设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法，包括如下步骤：S1.将陶瓷材料原料球磨；S2.将步骤S1球磨后的原料先烘干，然后粉碎过筛；3.将步骤S2过筛后的粉料进行预烧；S4.将预烧后的粉料掺杂后进行二次球磨；S5.将步骤S4球磨后的粉料烘干，然后粉碎过筛；S6.将步骤S5过筛后的粉料进行研磨造粒，再压制成型，烧结后制得微波介质陶瓷。本发明的高抗弯强度陶瓷粉体抗弯强度可以达到885MPa，同时断裂韧性8.56MPa·m12。
本发明授权一种高抗弯强度陶瓷粉体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高抗弯强度陶瓷粉体制备方法，其特征在于：包括如下步骤： S1.将陶瓷材料原料球磨，所述陶瓷材料原料为MgCO34·MgOH2·5H2O、TiO2和CaCO3； S2.将步骤S1球磨后的原料先烘干，然后粉碎过筛； S3.将步骤S2过筛后的粉料进行预烧，得到粉料Mg0.95Ca0.05TiO3； S4.将预烧后的粉料Mg0.95Ca0.05TiO3，掺杂后进行二次球磨，掺杂为0.5wt%ZnO、0.5wt%SrO以及0.5wt％～2.0％Al2O3； S5.将步骤S4球磨后的粉料烘干，然后粉碎过筛； S6.将步骤S5过筛后的粉料进行研磨造粒，再压制成型，烧结后制得微波介质陶瓷，所述烧结温度为1225℃-1275℃。
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