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龙图腾网获悉北京有色金属与稀土应用研究所有限公司申请的专利半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117660899B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311681209.4，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法是由黄晓猛;宋文杰;齐岳峰;窦程亮;吴河龙;王玉庆;宁书龙设计研发完成，并于2023-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法，属于金属溅射靶材材料制备领域。制备方法包括备料、合金化熔炼、离心铸造成形、同步水冷快速凝固和表面机加工等步骤。通过惰性气流保护冶炼、高频感应加热、浸入式加料、旋转叶片均匀搅拌、充压式离心铸造、同步水冷快速凝固以及表面机加工，可以制备圆形、矩形和异形不同规格尺寸的靶材。该制备方法可以解决活泼金属元素难以掺杂锌基溅射靶材难题，获得较高含量的掺杂元素成分合金，制得靶材具有内部元素掺杂分布均匀、晶粒尺寸小、体积缺陷少等优点，并且有效减少靶材机加工工作量，具备生产效率快、成品率高、成本低等优点。

本发明授权半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法，包括以下步骤： 1备料： 所述的溅射靶材由改性元素和Zn组成，改性元素为V、Zr、Li、Ti、Al、Ga和Ni中的一种或多种，改性元素含量为1.0～20.0wt.％，余量为Zn；按照合金中各元素质量分数比例，称重； 2合金化熔炼： 将Zn锭放入坩埚，改性元素用高纯Zn箔包裹放置在搅拌装置的旋转叶片上，坩埚封盖，放到离心设备加热线圈支撑架上；设备真空抽至10-1Pa以下；然后通入惰性气体，气体保持流速，坩埚内部气体压力为104Pa以上；采用高频感应加热方式，先对Zn锭进行熔炼和精炼；然后，保持加热功率，将旋转叶片浸入Zn熔体中，静止5～10min，开启叶片旋转，使改性元素熔解、分散于Zn熔体中，获得元素均匀分布的合金熔体； 3离心铸造成形： 待步骤2的合金熔体旋转搅拌结束后，自动抬起旋转叶片，关闭坩埚出气阀，开启离心臂，进行旋转离心铸造； 4同步水冷快速凝固： 离心铸造模具内腔尺寸为靶材尺寸的1.05～1.2倍，开启离心前，模具通过埋入式加热线圈进行预热；开启离心后，加热停止，线圈持续通入冷却水，合金熔体填充模具后，同步冷却降温； 5表面机加工： 待离心铸造结束，模具温度降至50℃以下，出炉；掺杂改性元素的合金锭坯采用数控加工中心进行锭坯表面加工，加工尺寸至成品规格。

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