清纯半导体(宁波)有限公司史文华获国家专利权
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龙图腾网获悉清纯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311772118.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体功率器件及其制备方法是由史文华;吴帆正树;温家平设计研发完成，并于2023-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：位于漂移层中间隔设置的若干主阱区；位于主阱区中的源区；主阱区的顶部区域中具有沟道区，沟道区与源区的侧壁邻接；位于相邻的主阱区之间的漂移层中的辅助阱区和JFET区，辅助阱区与主阱区间隔，JFET区与沟道区背离所述源区的侧壁接触，JFET区的导电类型和主阱区的导电类型相反；JFET区包括位于辅助阱区和主阱区之间的第一JFET区；第一JFET区具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与主阱区的侧壁接触，第二侧壁与辅助阱区的侧壁接触；第一侧壁和所述第二侧壁同向弯曲设置。半导体功率器件兼顾降低沟道区电阻和提高反向击穿电压。
本发明授权一种半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括： 半导体衬底层； 位于所述半导体衬底层上的漂移层； 位于所述漂移层中间隔设置的若干主阱区，所述主阱区的导电类型和所述漂移层的导电类型相反； 位于所述主阱区中的源区；所述主阱区的顶部区域中具有沟道区，所述沟道区与所述源区的侧壁邻接； 位于相邻的主阱区之间的漂移层中的辅助阱区和JFET区，所述辅助阱区与所述主阱区间隔，所述辅助阱区的导电类型与所述主阱区的导电类型相同，所述JFET区与所述沟道区背离所述源区的侧壁接触，所述JFET区的导电类型和所述主阱区的导电类型相反；所述JFET区包括位于所述辅助阱区和所述主阱区之间的第一JFET区；所述第一JFET区具有在沟道区的长度方向上排布且相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与所述主阱区的侧壁接触，所述第二侧壁与所述辅助阱区的侧壁接触；所述第一侧壁和所述第二侧壁同向弯曲设置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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