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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117794230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139858.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由韩清华设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底以及位于基底上的半导体通道，每一所述半导体通道用于构成第一晶体管；多条第一位线，每一第一位线与沿第一方向排布的第一掺杂区相接触；多条第一字线，第一字线环绕沟道区；栅导电层与第二掺杂区相接触；沟道层环绕栅导电层的外侧面设置；第一半导体掺杂层与第二半导体掺杂层设置在沟道层的外侧面，第一半导体掺杂层、第二半导体掺杂层、沟道层以及栅导电层用于构成第二晶体管；第二位线与第一半导体掺杂层或第二半导体掺杂层中的一者接触连接；第二字线与第一半导体掺杂层或第二半导体掺杂层中的另一者接触连接，可以提供一种新的2T0C的DRAM结构。

本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底以及位于所述基底上的多个沿第一方向以及第二方向间隔排布的半导体通道，所述半导体通道包括沿第三方向依次排布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，每一所述半导体通道用于构成第一晶体管； 多条沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布的第一位线，所述第一位线位于所述基底与所述半导体通道之间，每一所述第一位线与沿所述第一方向排布的所述第一掺杂区相接触； 多条沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布的第一字线，所述第一字线环绕所述沟道区； 栅导电层，所述栅导电层与所述第二掺杂区相接触，且位于所述第二掺杂区远离所述沟道区的一侧； 沟道层，所述沟道层环绕所述栅导电层的外侧面设置； 第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层，所述第一半导体掺杂层与所述第二半导体掺杂层设置在所述沟道层的外侧面，且所述第一半导体掺杂层与所述第二半导体掺杂层相间隔，所述第一半导体掺杂层、所述第二半导体掺杂层、所述沟道层以及所述栅导电层用于构成第二晶体管； 第二位线，所述第二位线与所述第一半导体掺杂层或所述第二半导体掺杂层中的一者电连接； 第二字线，所述第二字线与所述第一半导体掺杂层或所述第二半导体掺杂层中的另一者电连接。

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