东南大学李泽军获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118062894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311248952.0，技术领域涉及：C01G33/00；该发明授权一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法是由李泽军;张植设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法，首先制备过渡金属卤化物单晶材料，然后配制电化学阳极插层的电解液，并以M3X8和M3QX7单晶样品作为工作电极，以惰性电极作为对电极，构建电化学阳极插层装置；接着施加工作电压，电解液中的阳离子插层M3X8和M3QX7单晶，发生膨胀、卷曲、脱落，摇晃后，得到溶液分散的一维M3X8和M3QX7纳米卷；最后将所得分散液离心、洗涤，干燥后得到M3X8和M3QX7纳米卷粉末样品。本发明的制备工艺简单，实验参数可控、制备效率高、普适性强，所制备的M3X8和M3QX7纳米卷具有良好的致密性和高的结晶性，在光学、电学领域具有较好的应用前景。
本发明授权一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1制备过渡金属卤化物单晶材料；所述过渡金属卤化物单晶材料为具有Kagome晶格的层状M3X8和M3QX7； 2配制电化学阳极插层的电解液，并以M3X8和M3QX7单晶样品作为工作电极，以不与电解液反应的惰性电极作为对电极，构建电化学阳极插层装置；配制阳极插层电解液的电解质为可溶性四烷基铵盐和或无机金属盐； 3施加工作电压，电解液中的阳离子插层M3X8和M3QX7单晶，发生膨胀、卷曲、脱落，摇晃后，得到溶液分散的一维M3X8和M3QX7纳米卷；所述工作电极的电压为-2.5~-7V； 4将步骤3所得分散液离心、洗涤，干燥后得到M3X8和M3QX7纳米卷粉末样品。
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