杭州电子科技大学毛敏敏获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118084470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410204700.6,技术领域涉及:C04B35/20;该发明授权一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用是由毛敏敏;方晋;倪涛;宋开新设计研发完成,并于2024-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于微波介质陶瓷技术领域,具体涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,可应用于5G6G通信。本发明提供的微波介质陶瓷材料,其化学式为MgSi1‑xGexO3,其中0.1x≤0.3。所述的微波介质陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1、以MgO、SiO2、GeO2为原料,按照目标化学式MgSi1‑xGexO3中,Mg、Si、Ge三种元素的物质的量比,称取所述原料,其中0.1x≤0.3,将称取的原料依次进行混合球磨、烘干、过筛和预烧,对预烧后的粉料进行二次球磨、烘干和过筛,得到粉料;步骤2、将步骤1得到的所述粉料进行造粒、过筛、成型,得到生坯;步骤3、将步骤2得到的生坯在1300~1390℃烧结,得到陶瓷。
本发明授权一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述微波介质陶瓷材料,化学式为MgSi1-xGexO3,其中0.1x≤0.3,所述制备方法包括如下步骤: 步骤1、以MgO、SiO、GeO为原料,按照目标化学式MgSi1-xGe中,Mg、Si、Ge三种元素的物质的量比,称取所述原料,其中0.1x≤0.3,将称取的原料依次进行混合球磨、烘干、过筛和预烧,对预烧后的粉料进行二次球磨、烘干和过筛,得到粉料; 步骤2、将步骤1得到的所述粉料进行造粒、过筛、成型,得到生坯; 步骤3、将步骤2得到的生坯在1300~1390℃烧结,得到陶瓷;所述烧结工艺包括:以2℃min的速率升温至650℃排胶3h,以5℃min的速率升温至1300~1390℃烧结5h,以1.5℃min的速率降温至600℃后随炉冷却至室温。
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