福建省晋华集成电路有限公司叶长福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410309099.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其制备方法是由叶长福;黄友杰;陈旋旋;魏鼎设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、源极结构、栅极金属层、通孔、通道层及漏极结构，其中源极结构位于衬底上，栅极金属层位于源极结构上，通孔贯穿设置于栅极金属层中，通道层覆盖通孔的底部及侧壁，通道层的底部与源极结构接触；栅极介质层夹设在通道层与栅极金属层之间，栅极介质层的中间位置的厚度大于其端部位置的厚度，漏极结构位于通道层上，通道层的顶部与漏极结构接触。本发明利于提高器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 源极结构，位于所述衬底上； 栅极金属层，位于所述源极结构上； 通孔，贯穿设置于所述栅极金属层中； 通道层，覆盖所述通孔的底部及侧壁，所述通道层的底部与所述源极结构接触； 栅极介质层，夹设在所述通道层与所述栅极金属层之间，所述栅极介质层的中间位置的厚度大于其两端端部位置的厚度，所述栅极介质层的中间位置的两侧面分别直接接触所述通道层和所述栅极金属层； 漏极结构，位于所述通道层上，所述通道层的顶部与所述漏极结构接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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