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龙图腾网获悉湖北大学申请的专利一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118507575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410594183.8，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法是由王浩;危家昀;韩伟;桑康任;沈谅平;万厚钊;姜聪;汪宝元设计研发完成，并于2024-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；Pd电极。本发明的高功函数Pd电极接触的日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上使用高真空电子束复合热蒸发镀膜设备蒸镀pd电极，使其具有极低的暗电流并在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。

本发明授权一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器，其特征在于：包括： 绝缘衬底； 大面积的Ga2O3薄膜，所述Ga2O3薄膜位于绝缘衬底上； 高功函数Pd电极，所述Pd电极位于Ga2O3薄膜上； 所述Ga2O3薄膜的直径为2英寸； 所述Pd电极是由多个电极组成的阵列，所述Pd电极均匀的分布在整个Ga2O3薄膜表面； 所述Ga2O3日盲紫外光电探测器的制备方法，包括如下步骤： 提供绝缘衬底，并进行预处理； 在预处理后的衬底表面制备大面积的Ga2O3薄膜，然后对所述Ga2O3薄膜进行预处理； 在所述Ga2O3薄膜上制备高功函数Pd电极接触； 所述大面积的Ga2O3薄膜是通过MOCVD法制备而成； 所述大面积的Ga2O3薄膜的制备方法具体如下： 将清洗干净的衬底放入MOCVD设备的腔室中，MOCVD生长温度设置为800℃，反应室压强为40torr，Mo源为三乙基镓，载气为氮气200sccm，氧气3000sccm，生长速率为180-200nmh，生长时间为1h，制得直径为2英寸，厚度为200nm的Ga2O3薄膜； 对所述Ga2O3薄膜进行预处理的方法与对衬底进行预处理的方法相同，具体方法包括如下步骤： 依次将所述Ga2O3薄膜置于丙酮、无水乙醇和去离子水中，分别超声清洗，清洗完毕后将Ga2O3薄膜放入去离子水中保存备用； 在所述Ga2O3薄膜上制备高功函数Pd电极接触，具体工艺如下： 将负载有表面干净的氧化镓薄膜的绝缘衬底置于镀膜机中，抽真空，通过电子束热蒸发镀膜将Pd镀到Ga2O3薄膜上，镀膜完毕后移除掩模版即可； 所述Pd电极面积为108μm×108μm，两电极之间沟道宽度为37μm。

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