福建省晋华集成电路有限公司肖杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118692903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410822229.7，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权半导体器件及其制备方法是由肖杰;阮逸轩;徐文杰;吴家伟;赵敖丽设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；于衬底上依次形成源极和第一隔离层；于第一隔离层上形成间隔排布的栅极；形成覆盖栅极的第二隔离层；形成依次贯穿第二隔离层、栅极和第一隔离层11的通孔；通孔暴露出源极的表面；形成沟道材料层；沟道材料层覆盖通孔的内壁以及源极的表面；于通孔内依次填充第三隔离层和漏极材料层；对沟道材料层和漏极材料层执行连续激光退火工艺和脉冲激光退火工艺，以形成沟道层和漏极；其中，源极、沟道层和漏极具有多晶结构。本发明能够提高多晶硅结构的沟道层和漏极的质量，进而提升了半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上依次形成源极和第一隔离层； 于所述第一隔离层上形成间隔排布的栅极； 形成覆盖所述栅极的第二隔离层； 形成依次贯穿所述第二隔离层、所述栅极和所述第一隔离层的通孔；所述通孔暴露出所述源极的表面； 形成沟道材料层；所述沟道材料层覆盖所述通孔的内壁以及所述源极的表面； 于所述通孔内依次填充第三隔离层和漏极材料层； 对所述沟道材料层和所述漏极材料层先后执行第一退火工艺和第二退火工艺，以形成沟道层和漏极；其中，所述第一退火工艺为连续激光退火工艺，所述第二退火工艺为脉冲激光退火工艺；所述源极、所述沟道层和所述漏极具有多晶结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励