电子科技大学李浩获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种紧凑型高功率的双层同轴波导功分器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118738802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410899971.8,技术领域涉及:H01P5/18;该发明授权一种紧凑型高功率的双层同轴波导功分器是由李浩;陈易昂;欧美玲;张建龙设计研发完成,并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紧凑型高功率的双层同轴波导功分器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种紧凑型高功率的多层同轴波导功分器,属于高功率模式功率分配领域。该功分器包括:上层同轴径向功分结构、下层同轴径向功分结构、变内径同轴线结构;其中,上层同轴径向功分结构包括n个上层输出端口,下层同轴径向功分结构包括n个下层输出端口,变内径同轴线结构用于将上层同轴输入端口输入信号的部分功率引入下层同轴线部分,剩余功率则进入上层径向线部分;进入上层径向线部分的信号等分为n路输出,进入下层同轴线部分的信号通过下层径向线部分等分为n路输出。本发明能够突破径向功分数目的制约,在有限径向半径内引入更多功分路数,同时相较于单层径向功分系统在相同功分数目的前提下更加紧凑的结构,并且具有损耗低、功率容量高的优点。
本发明授权一种紧凑型高功率的双层同轴波导功分器在权利要求书中公布了:1.一种紧凑型高功率双层同轴波导径向功分器,其特征在于,包括:上层同轴径向功分结构、下层同轴径向功分结构、变内径同轴线结构; 所述上层同轴径向功分结构,包括上层同轴线部分和上层径向线部分;其中,所述上层同轴线部分包括上层同轴输入端口;所述上层径向线部分包括n个上层输出端口; 所述下层同轴径向功分结构,包括下层同轴线部分和下层径向线部分;其中,所述下层同轴线部分包括下层同轴输入端口;所述下层径向线部分包括n个下层输出端口; 所述变内径同轴线结构,用于将上层同轴输入端口输入信号的部分功率引入下层同轴线部分,剩余功率则进入上层径向线部分;进入上层径向线部分的信号等分为n路输出,进入下层同轴线部分的信号通过下层径向线部分等分为n路输出; 所述变内径同轴线结构,为外径不变、内径逐渐减小的同轴结构,且变内径同轴线结构的外侧面与上层同轴线部分的内侧下部区域连通,下端面连接下层同轴输入端口。
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