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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利分立器件IDSS测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118777825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410958048.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权分立器件IDSS测试方法是由陈培申;谢晋春;李晶晶;李向阳设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本分立器件IDSS测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分立器件IDSS测试方法,包括步骤：将多块浮动源形成的叠加电源连接到分立器件的源极和漏极之间并对各浮动源进行初始化。对各块浮动源进行FV操作。在各块浮动源的所述FV操作完成并等待一对应的稳定时间后，插入对各浮动源的MV操作；如果对应块的浮动源的MV操作结果异常，则将所有浮动源都关闭，以减少异常状态下的时间并避免热量累积将探针烧毁。本发明能在测试过程中探针进行保护，减少烧针发生频率。

本发明授权分立器件IDSS测试方法在权利要求书中公布了：1.一种分立器件IDSS测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 将多块浮动源形成的叠加电源连接到分立器件的源极和漏极之间并对各所述浮动源进行初始化，所述叠加电源和所述分立器件的所述源极或漏极之间采用的连接结构包括有探针，所述叠加电源用于提供所述分立器件的IDSS测试所需要的源漏电压； 对各块所述浮动源进行FV操作，所述FV操作表示为所述浮动源提供激励电压； 在各块所述浮动源的所述FV操作完成并等待一对应的稳定时间后，插入对各所述浮动源的MV操作，所述MV操作表示对所述浮动源的电压进行测量；如果对应块的所述浮动源的所述MV操作结果异常，则将所有所述浮动源都关闭，以减少异常状态下的时间并避免热量累积将所述探针烧毁； 所述浮动源的数量为N，N大于等于2； 第1块至第N-1块所述浮动源用于为所述源漏电压提供基础电压； 第N块浮动源用于实现FV-MI测量，FV表示提供激励电压，MI表示测量电流，FV-MI表示提供激励电压来测量电流； 所述第N块浮动源为最后进行所述FV操作的所述浮动源； 在所述第N块浮动源的所述MV操作完成之后，如果所述第N块浮动源的所述MV操作正常，则在等待第二稳定时间之后进行MI操作，所述MI操作为对所述第N块浮动源的电流进行测量。

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