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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410820889.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆是由罗成志设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。功率器件包括：依次层叠设置的衬底和外延层；外延层远离衬底的表面包括栅极沟槽；栅极沟槽内设置有第一栅氧化层、多晶硅层和第二栅氧化层；第一栅氧化层包括第一子部和第二子部，第一子部覆盖栅极沟槽的侧壁，第二子部覆盖栅极沟槽的底面；第二栅氧化层设置于第二子部远离述衬底的表面；多晶硅层设置于第一栅氧化层和第二栅氧化层远离所述外延层的一侧，多晶硅层覆盖所述第二栅氧化层，且多晶硅层覆盖所述第一子部的第一表面，第一子部的第一表面为第一子部远离所述栅极沟槽的侧壁的表面。本发明可以避免栅极沟槽底部的栅氧化层被击穿，提高功率器件的可靠性。

本发明授权功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括： 依次层叠设置的衬底和外延层； 所述外延层远离所述衬底的表面包括栅极沟槽；所述栅极沟槽内设置有第一栅氧化层、多晶硅层和第二栅氧化层； 所述第一栅氧化层包括第一子部和第二子部，所述第一子部覆盖所述栅极沟槽的侧壁，所述第二子部覆盖所述栅极沟槽的底面； 所述第二栅氧化层设置于所述第二子部远离所述衬底的表面；所述多晶硅层设置于所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层远离所述外延层的一侧，所述多晶硅层覆盖所述第二栅氧化层，且所述多晶硅层覆盖所述第一子部的第一表面，所述第一子部的第一表面为所述第一子部远离所述栅极沟槽的侧壁的表面； 所述多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层设置于所述第一子部的第一表面，所述第二栅氧化层覆盖所述第二子部远离所述衬底的表面，且所述第二栅氧化层覆盖所述第一多晶硅层的第二表面的部分区域，其中，所述第一多晶硅层的第二表面为所述第一多晶硅层远离所述栅极沟槽的侧壁的表面； 所述第二多晶硅层覆盖所述第二栅氧化层，且所述第二多晶硅层覆盖未被所述第二栅氧化层覆盖的所述第二表面； 第二多晶硅层包括主体部和凸出部，凸出部相对于主体部向衬底方向凸出；第二栅氧化层位于第一多晶硅层表面的部分，位于第一多晶硅层与第二多晶硅层的凸出部以及主体部之间。

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