哈尔滨工业大学李雪健获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种碳化锆颗粒、碳化锆颗粒增强镁基复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118957345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410951578.9，技术领域涉及：C22C1/10；该发明授权一种碳化锆颗粒、碳化锆颗粒增强镁基复合材料及其制备方法是由李雪健;张轩昌;王晓军;施海龙;胡小石;徐超;卢振设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化锆颗粒、碳化锆颗粒增强镁基复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化锆颗粒、碳化锆颗粒增强镁基复合材料及其制备方法，属于碳化锆颗粒制备技术领域。本发明通过与镁熔体的气液反应将CO2和或CO气体中的碳源固化为纳米级的碳粉末，并通过添加镁锆中间合金，在镁熔体中原位反应产生碳化锆颗粒，同时熔体中均匀分散的纳米碳材促进了碳化锆颗粒增强镁基复合材料中碳化锆颗粒的均匀分布，从而创造出具有较高缺陷密度和反应活性的碳反应原料，显著降低碳化锆陶瓷颗粒的合成温度，还有效避免了杂质的引入，从而显著提高镁基复合材料制备的力学性能和制备效率；本发明提供的方法制备采用短流程、低成本的液态冶金方法，避免了直接添加粉末的安全风险，实现了碳化锆颗粒的合成及对镁基体的协同强化。
本发明授权一种碳化锆颗粒、碳化锆颗粒增强镁基复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化锆颗粒的制备方法，其特征在于，步骤如下： S1、碳源气体预处理，对纯度为99.9%的碳源气体进行除杂处理； S2、碳源气体中碳的固化，待纯镁熔融后于搅拌状态下通入步骤S1除杂后的碳源气体，获得富含碳纳米粉末碳源的镁熔体； S3、碳化锆陶瓷颗粒的合成及碳化锆颗粒增强镁基复合材料的制备，向步骤S2制备的富含碳纳米粉末碳源的镁熔体中添加镁锆中间合金，继续搅拌10min； S4、碳化锆颗粒的提取，待反应完全后，将反应介质压铸成铸锭，即获得碳化锆颗粒增强镁基复合材料，对碳化锆颗粒增强镁基复合材料进行提纯，即获得高纯碳化锆颗粒； 所述步骤S1中碳源气体为CO2、CO中的一种或两种； 所述步骤S4中对碳化锆颗粒增强镁基复合材料进行提纯的方法为采用5~20%盐酸对碳化锆颗粒增强镁基复合材料进行侵蚀，然后用蒸馏水洗涤，减压过滤即可获得纯度高的碳化锆颗粒。
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