中国电子科技集团公司第十研究所朱勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十研究所申请的专利基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118969768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411035913.7,技术领域涉及:H10W70/60;该发明授权基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构是由朱勇;张睿;夏春秋;钟慧设计研发完成,并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构在说明书摘要公布了:本发明涉及射频前端技术领域,具体公开了一种基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构,包括由上至下层叠设置的接地金属层一、介质层一、信号金属层、介质层二、接地金属层二;所述信号金属层包括微带线、带状线和切角微带,所述带状线、切角微带同侧设置且分别与微带线连接;在所介质层二上且位于切角微带的外侧设置有金属通孔。本发明满足了键合焊盘所需的线宽,又降低了微带线到带状线传输的损耗,改善了信号在链路的传输性能。
本发明授权基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构在权利要求书中公布了:1.一种基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构,其特征在于,包括由上至下层叠设置的接地金属层一、介质层一、信号金属层、介质层二、接地金属层二; 所述信号金属层包括微带线、带状线和切角微带,所述带状线、切角微带同侧设置且分别与微带线连接; 在所介质层二上且位于切角微带的外侧设置有金属通孔;所述切角微带为两组且沿带状线的轴线呈对称设置;每组切角微带外侧的金属通孔至少为两个; 所述切角微带沿带状线轴线方向的长度为S; ; 其中,N为一组切角微带同侧金属通孔的个数,; 为金属通孔的半径; 为微带线宽度; 为带状线宽度。
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