长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310515691.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由郭帅;刘忠明设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决基底被损耗的技术问题。该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底内具有沟槽；对暴露在沟槽内的基底进行氮化处理；形成覆盖沟槽内壁的前驱体层，并通过原位水汽生长工艺氧化前驱体层，以形成介质层。本公开用于阻挡氧原子与基底中硅原子结合，避免氧化基底，降低了基底的损耗，进而提高了半导体结构的良率。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底内具有沟槽； 对暴露在所述沟槽内的基底进行氮化处理以形成阻隔层，所述阻隔层覆盖在所述沟槽的内壁上； 形成覆盖所述沟槽内壁的前驱体层，所述前驱体层随形覆盖在所述阻隔层上，并通过原位水汽生长工艺氧化所述前驱体层，以形成介质层，所述介质层的击穿场强为13MVcm； 在形成所述前驱体层之后以及形成介质层之前，所述基底与所述沟槽的底壁相对应的区域的厚度为D1，在形成所述介质层之后，所述基底与所述沟槽的底壁相对应的区域的厚度为D2，所述D1与所述D2相等； 在所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构的顶面低于所述基底的顶面。
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