电子科技大学李严波获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118979270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411044152.1，技术领域涉及：C25B11/059；该发明授权一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法是由李严波;冯超设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电催化水分解技术领域，具体地涉及一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法，是通过依次采用反应电子束蒸发沉积系统、普通电子束蒸发沉积系统、光辅助电化学沉积法来制备n‑Si光阳极表面的CuO中间层薄膜、NiO薄膜、NiCoFe‑Bi助催化剂层。在制备过程中，通过控制反应电子束蒸发沉积系统中通入O2气流量的大小，控制中间层薄膜中CuO相的形成，以实现对NiOn‑Si异质结光阳极界面的有效调控，促使n‑Si光阳极上更大光电压的产生，进而显著提升n‑Si光阳极的光电催化水分解性能。
本发明授权一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、n-Si晶片依次使用丙酮、异丙醇超声清洗，然后吹干； 步骤2、以Cu2O作为Cu源，使用反应电子束蒸发设备在n-Si晶片上制备一层CuO中间层； 步骤3、再以NiO作为Ni源，使用电子束蒸发设备在步骤2所得结构上沉积NiO薄膜； 步骤4、使用TEM、XPS、UPS表征方法对步骤3所得结构进行形貌、物相以及能带结构的分析，若分析结果达到预设标准则进入步骤5； 步骤5、使用5%-20%的HF溶液对步骤3所得样品的背面进行刻蚀，刻蚀后使用去离子水冲洗干净，并将铟-镓液态合金涂覆在被刻蚀表面以形成铟-镓合金层，使用银浆将铟-镓合金层与导线相连后，再使用环氧树脂对其进行封装； 步骤6、采用三电极系统对步骤5所得结构进行NiCoFe-Bi析氧助催化剂的光辅助电化学沉积，待沉积完成后，使用去离子水彻底冲洗； 步骤7、使用三电极系统对步骤6所得结构进行PEC水分解测试及评价。
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