安迈特科技(北京)有限公司孟焕菊获国家专利权
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龙图腾网获悉安迈特科技(北京)有限公司申请的专利隔膜、负极和锂/钠离子电池，以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119009375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411121320.2，技术领域涉及：H01M50/457；该发明授权隔膜、负极和锂/钠离子电池，以及制备方法是由孟焕菊;请求不公布姓名;唐振勇;孙欣森;李永伟设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本隔膜、负极和锂/钠离子电池，以及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供隔膜、负极和锂钠离子电池，以及制备方法，属于电池领域。补锂钠隔膜包括隔膜层；第一保护层位于隔膜层一侧；补锂钠层位于第一保护层一侧；图案化电子导层位于补锂钠层一侧；第二保护层位于图案化电子导层一侧。补锂钠负极包括负极片；图案化电子导层位于负极片至少一侧；补锂钠层位于图案化电子导层一侧；保护层位于补锂钠层一侧。本公开在隔膜和负极中设置图案化电子导层，改善界面接触、均匀界面电场分布，构建电子通道，提高电池电导率和锂钠离子传输效率，提升锂钠利用率，减少电芯非活性锂钠消耗，实现能量密度、循环寿命及倍率性能提升。解决现有技术锂钠利用率低，能量密度、循环寿命及倍率性能低等问题。
本发明授权隔膜、负极和锂/钠离子电池，以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种补锂钠隔膜，其特征在于，包括： 隔膜层； 第一保护层，设置在所述隔膜层的一侧；第一保护层的组分包括Na2CO3、NaTiO3、NaF、Na3N、Li2CO3、Li3N、LiTiO3、Li3P、LiF中的至少一种； 补锂钠层，设置在所述第一保护层远离所述隔膜层的一侧； 图案化电子导层，设置在所述补锂钠层远离所述隔膜层的一侧；以及 第二保护层，设置在所述图案化电子导层远离所述补锂钠层的一侧；第二保护层的组分包括Na2CO3、NaTiO3、NaF、Na3N、Li2CO3、Li3N、LiTiO3、Li3P、LiF中的至少一种。
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