湘潭大学李鑫卿获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利击通电阻链式硅漂移探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411128294.6，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权击通电阻链式硅漂移探测器是由李鑫卿;李正;王秀锋;龙涛;赵俊设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本击通电阻链式硅漂移探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种击通电阻链式硅漂移探测器，包括基体，基体上表面中心通过掺杂形成圆形阳极、漂浮阴极同心环和击通电阻链；击通电阻链环绕圆形阳极，漂浮阴极同心环环绕击通电阻链分布；基体下表面整面为底面阴极，底面阴极下方覆盖底面阴极铝电极接触层；击通电阻链上方一端覆盖击通电阻链后端铝电极接触层，另一端覆盖击通电阻链前端铝电极接触层，圆形阳极上方覆盖阳极铝电极接触层；探测器上方未覆盖铝电极接触层的部分覆盖二氧化硅绝缘层。
本发明授权击通电阻链式硅漂移探测器在权利要求书中公布了：1.击通电阻链式硅漂移探测器，包括基体4，其特征在于，基体4上表面中心通过掺杂形成圆形阳极3、漂浮阴极同心环2和击通电阻链1；击通电阻链1环绕圆形阳极3，漂浮阴极同心环2环绕击通电阻链1分布；基体4下表面整面为底面阴极9，底面阴极9下方覆盖底面阴极铝电极接触层10；击通电阻链1上方一端覆盖击通电阻链后端铝电极接触层5，另一端覆盖击通电阻链前端铝电极接触层6，圆形阳极3上方覆盖阳极铝电极接触层7；探测器上方未覆盖铝电极接触层的部分覆盖二氧化硅绝缘层8；击通电阻链1与漂浮阴极同心环2均为P型重掺杂，掺杂深度均为1-5微米；击通电阻链1与漂浮阴极同心环2的掺杂浓度均为1×1018cm3-1×1023cm3。
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