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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411257475.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由日笠旭纮设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1包括：半导体层10，其具有主面11；开关元件2，其形成于上述半导体层；第一电极50，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极55，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极70，其具有在俯视时与上述第一电极重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述第一电极电连接；以及第二端子电极75，其具有在俯视时与上述第二电极重叠的部分，且与上述第二电极电连接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述工序： 准备半导体层的工序，该半导体层具有主面，且具有有源区域、以及设置在上述有源区域的周围的非有源区域； 形成FET构造的工序，该FET构造在上述有源区域上具有栅极电极、源极区域或者发射极区域、漏极区域或者集电极区域； 形成第一绝缘层的工序，该第一绝缘层在上述有源区域中具有多个接触孔； 形成第一金属膜的工序，该第一金属膜在上述第一绝缘层上具有埋设于上述接触孔的部分； 通过除去上述第一金属膜的一部分而形成第一主面电极及第二主面电极的工序，该第一主面电极与上述FET构造的上述栅极电极电连接，该第二主面电极与上述FET构造的上述源极区域或者上述发射极区域电连接； 形成第二绝缘层的工序，该第二绝缘层在上述第一绝缘层上覆盖上述第一主面电极的一部分及上述第二主面电极的一部分； 在上述第二绝缘层与从上述第二绝缘层露出的上述第一主面电极及上述第二主面电极上形成第二金属膜的工序； 通过除去上述第二金属膜的一部分而形成第一焊盘和第二焊盘的工序，该第一焊盘在俯视时与上述第二主面电极重叠且与上述第一主面电极电连接，该第二焊盘在上述俯视时与上述第二主面电极重叠且与上述第二主面电极电连接； 在上述第一焊盘、上述第二焊盘及上述第二绝缘层上形成第三绝缘层的工序；以及 通过除去上述第三绝缘层的一部分而使上述第一焊盘的一部分及上述第二焊盘的一部分露出的工序， 上述第二焊盘包括跃上上述第二绝缘层的第一部分、以及上述第一部分以外的第二部分， 上述第二焊盘的上述第二部分的上表面位于比上述第一焊盘的上表面中从上述第三绝缘层露出的部分靠下方。

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