福建省晋华集成电路有限公司梁毅浩获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411238806.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件及其制备方法是由梁毅浩;蔡建成;孔果果;张秀萍;卢代星;黄林浩;张汉彬设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及集成电路技术领域，其中，源极位于衬底上；介电芯位于源极背离衬底的一侧；沟道层位于介电芯、源极之间，且覆盖介电芯的底面及侧壁，沟道层的顶面高于介电芯的顶面并形成位于介电芯上方的凹槽；导电插塞至少部分位于凹槽内，导电插塞的底面低于沟道层的顶面；漏极位于沟道层与导电插塞之间，漏极的侧壁被部分导电插塞覆盖，至少能够在确保半导体器件体积不增加的情况下，提高半导体器件的性能及可靠性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 源极，位于所述衬底上； 介电芯，位于所述源极背离所述衬底的一侧； 沟道层，位于所述介电芯、所述源极之间，且覆盖所述介电芯的底面及侧壁，所述沟道层的顶面高于所述介电芯的顶面并形成位于所述介电芯上方的凹槽； 导电插塞，至少部分位于所述凹槽内，所述导电插塞的底面低于所述沟道层的顶面； 漏极，位于所述沟道层与所述导电插塞之间，所述漏极的侧壁被部分所述导电插塞覆盖；所述导电插塞的底面接触所述介电芯的顶面。
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