买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411545207.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由宛伟设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：形成多个位线结构，并在相邻位线结构之间形成第一接触插塞，第一接触插塞的顶面低于位线结构的顶面；在多个位线结构的顶面形成具有多个开口的隔离层，每一开口暴露位线结构的一部分，以及暴露第一接触插塞；沿多个开口分别在多个第一接触插塞上形成多个第二接触插塞，每一第二接触插塞的一部分位于相邻位线结构之间，另一部分位于多个位线结构的顶面。上述半导体结构可以降低接触插塞之间的短路的问题。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 形成多个位线结构，并在相邻所述位线结构之间形成第一接触插塞，所述第一接触插塞的顶面低于所述位线结构的顶面； 在所述多个位线结构的顶面形成具有多个开口的隔离层，每一所述开口暴露所述位线结构的一部分，以及暴露所述第一接触插塞； 沿所述多个开口分别在多个所述第一接触插塞上形成多个第二接触插塞，每一所述第二接触插塞的一部分位于相邻所述位线结构之间，另一部分位于所述多个位线结构的顶面； 形成具有多个开口的隔离层的步骤包括：在多个所述第一接触插塞上形成下填充层，所述下填充层位于所述位线结构之间，且所述下填充层的顶面与所述位线结构的顶面齐平；在所述位线结构的顶面和所述下填充层的顶面形成上填充层；于所述上填充层中形成多个沿第一方向延伸的第一隔离层；于剩余的所述上填充层、所述第一隔离层共同组成的层中形成多个沿第二方向延伸的第二隔离层，所述第二方向和所述第一方向相交，多个所述第二隔离层与多个所述第一隔离层在所述上填充层中相互交叉；以相互交叉的多个所述第一隔离层和多个所述第二隔离层为刻蚀阻挡层，向下刻蚀所述上填充层和所述下填充层，形成具有所述多个开口的隔离层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。