华中科技大学翟天佑获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种各向异性介电层晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411272099.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种各向异性介电层晶体管及制备方法是由翟天佑;孙宗栋;李会巧设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种各向异性介电层晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件相关技术领域，并公开了一种各向异性介电层晶体管及制备方法。该晶体管包括衬底、栅极、源电极、漏电极、导电沟道和介电层，所述衬底作为所述导电沟道的载体，所述介电层堆叠在所述导电沟槽的上方，该介电层和导电沟道的扶手椅晶向重合，所述源电极和漏电极设置在所述导电沟道的两侧，所述栅极设置在所述介电层上，其中，所述介电层呈低对称性的晶体结构，在水平面内呈各向异性。本发明还公开了上述晶体管的制备方法。通过本发明，降低漏电流，提升导电沟道的电学性能，诱导沟道材料产生明显的各向异性电学响应，晶体管表现出较好的电学性能。
本发明授权一种各向异性介电层晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种各向异性介电层晶体管，其特征在于，该晶体管包括衬底、栅极、源电极、漏电极、导电沟道和介电层，所述衬底作为所述导电沟道的载体，所述介电层堆叠在所述导电沟道的上方，该介电层和导电沟道的扶手椅晶向重合，所述源电极和漏电极设置在所述导电沟道的两侧，所述栅极设置在所述介电层上，其中，所述介电层呈低对称性的晶体结构，在水平面内呈各向异性； 所述介电层采用具有C2旋转对称性晶体结构的材料； 所述导电沟道为具有C3旋转对称性的材料，其厚度在1nm～20nm，C2旋转对称性的材料可与C3旋转对称性的导电沟道发生对称性耦合作用，进而产生对称性更低的C1对称性，即各向异性。
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