长鑫科技集团股份有限公司付友获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310868012.5，技术领域涉及：H10W20/40；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由付友;吴双双;李宗翰;刘志拯;陈小龙设计研发完成，并于2023-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：中介层，中介层包括深沟槽电容阵列和设置于深沟槽电容阵列之间的隔离结构；其中，深沟槽电容阵列包括多个深沟槽电容，隔离结构至少部分环绕深沟槽电容阵列最边缘侧的深沟槽电容。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供中介层； 在所述中介层中形成初始深沟槽电容阵列结构，所述初始深沟槽电容阵列结构包括多个初始深沟槽电容结构； 对所述初始深沟槽电容阵列结构进行第一次刻蚀，在所述初始深沟槽电容阵列结构最边缘侧的初始深沟槽电容结构的外围暴露出第一电极层，形成中间深沟槽电容阵列结构； 对所述中间深沟槽电容阵列结构进行第二次刻蚀，将暴露出的所述第一电极层远离所述最边缘侧的初始深沟槽电容结构的一侧刻蚀形成隔离沟槽，并且，将所述中间深沟槽电容阵列结构中相邻的电容单元切断，形成深沟槽电容阵列，所述隔离沟槽位于所述深沟槽电容阵列之间的中介层中； 在所述隔离沟槽中填充隔离材料，形成隔离结构；所述隔离结构至少部分环绕所述深沟槽电容阵列最边缘侧的深沟槽电容。
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