长鑫科技集团股份有限公司陆勇获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的形成方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310876797.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的形成方法和存储器是由陆勇;黄伶明;陆兵设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的形成方法和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构、半导体结构的形成方法和存储器。其中，半导体结构包括：多个分立的有源区和埋入式字线。多个分立的有源区，沿第一方向延伸且间隔排列。埋入式字线，沿第二方向延伸，且贯穿对应的有源区。第一方向和第二方向的夹角的绝对值大于0°且小于90°。其中，埋入式字线包括：金属导电层、半导体导电层和功函数调整层。功函数调整层的功函数，大于半导体导电层的功函数，且小于金属导电层的功函数。
本发明授权半导体结构、半导体结构的形成方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 多个分立的有源区，沿第一方向延伸且间隔排列； 埋入式字线，沿第二方向延伸，且贯穿对应的所述有源区；所述第一方向和所述第二方向的夹角的绝对值大于0°且小于90°； 其中，所述埋入式字线包括：金属导电层、半导体导电层和功函数调整层；所述功函数调整层的功函数，大于所述半导体导电层的功函数，且小于所述金属导电层的功函数；所述金属导电层、所述半导体导电层和所述功函数调整层，沿竖直方向依次堆叠；所述金属导电层的厚度为70~80nm；所述半导体导电层的厚度为40~50nm；所述功函数调整层的厚度为5~10nm；所述功函数调整层的宽度或所述半导体导电层的宽度，比所述金属导电层的宽度大2~4nm。
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