中国科学院微电子研究所张利斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种光刻对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411540310.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种光刻对准方法是由张利斌;芮定海;韦亚一;粟雅娟设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻对准方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光刻对准方法，涉及半导体工艺技术领域。基于掩膜层的第一凹槽和第二凹槽，在金属层的制备过程中使金属层形成与第二凹槽类似共形的形貌；在第一非透光膜层的制备过程中，使第一非透光膜层也形成与第二凹槽类似共形的形貌；之后依次形成光刻胶层和第二非透光膜层，光刻胶层和第二非透光膜层背离衬底一侧的表面与衬底所在平面平行，此时核心区域图形对应的光刻胶层的厚度会小于对准标识图形对应的光刻胶层的厚度；在衍射光效率的测量过程中不同厚度的光刻胶层具有不同的信号响应，以此实现精确定位对准标识图形位置的目的。
本发明授权一种光刻对准方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻对准方法，其特征在于，所述光刻对准方法包括： 提供一待处理结构，所述待处理结构包括衬底，以及位于所述衬底一侧的掩膜层；所述掩膜层具有核心区域图形和对准标识图形；所述核心区域图形具有第一凹槽，所述对准标识图形具有第二凹槽； 形成金属层，所述金属层填充所述第一凹槽，且所述金属层覆盖所述第二凹槽的侧壁以及底部；位于所述第二凹槽的底部的金属层的厚度小于所述第二凹槽的深度； 形成第一非透光膜层，所述第一非透光膜层包括向所述衬底一侧凹陷的第一凹陷区域；所述第一凹陷区域在所述衬底上的正投影位于所述第二凹槽在所述衬底上的正投影之内； 在所述第一非透光膜层背离所述衬底的一侧形成光刻胶层，所述光刻胶层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底所在平面平行； 在所述光刻胶层背离所述衬底的一侧形成第二非透光膜层，所述第二非透光膜层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底所在平面平行； 在所述第二非透光膜层背离所述衬底的一侧进行衍射光效率的测量，确定所述对准标识图形的位置。
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