西安交通大学李桃获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利自旋轨道矩磁性隧道结和多数门自旋逻辑器件及其级联获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119403432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411394178.9,技术领域涉及:H10N50/10;该发明授权自旋轨道矩磁性隧道结和多数门自旋逻辑器件及其级联是由李桃;高宇歆;徐美玲;周雪;闵泰设计研发完成,并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋轨道矩磁性隧道结和多数门自旋逻辑器件及其级联在说明书摘要公布了:公开了一种自旋轨道矩磁性隧道结和多数门自旋逻辑器件及其级联,磁性隧道结中,包括从上至下依次层叠的电极层、人工反铁磁参考层、绝缘隧穿层、磁化自由层、反常自旋轨道矩层,其中,所述人工反铁磁参考层包括从上至下依次层叠第一铁磁层、非磁间隔层和第二铁磁层,所述第一铁磁层具有方向固定的垂直磁化;与所述第一铁磁层接触的电极层具有面内极化以调节第二铁磁层的磁化方向,所述磁性自由层具有方向可变的垂直磁化;与所述磁性自由层接触的反常自旋轨道矩层具有面内磁化方向,以产生反常自旋霍尔效应,以使所述磁性自由层磁化翻转,从而改变自旋轨道矩磁性隧道结阻态,实现逻辑功能。
本发明授权自旋轨道矩磁性隧道结和多数门自旋逻辑器件及其级联在权利要求书中公布了:1.一种自旋轨道矩磁性隧道结,其特征在于,其包括从上至下依次层叠的电极层、人工反铁磁参考层、绝缘隧穿层、磁性自由层、反常自旋轨道矩层,其中,所述人工反铁磁参考层包括从上至下依次层叠第一铁磁层、非磁间隔层和第二铁磁层,所述第一铁磁层具有方向固定的垂直磁化;与所述第一铁磁层接触的电极层具有面内极化以调节第二铁磁层的磁化方向,所述磁性自由层具有方向可变的垂直磁化,通过向电极层施加电压,使极化方向被调控到垂直方向上,以在垂直方向上产生电荷转移及铁电极化电场,使人工反铁磁参考层在反铁磁耦合状态与铁磁耦合状态之间转换,从而改变人工反铁磁参考层中第二铁磁层的磁化方向,实现逻辑功能;与所述磁性自由层接触的反常自旋轨道矩层具有面内磁化方向,以产生反常自旋霍尔效应,以使所述磁性自由层磁化翻转,从而改变自旋轨道矩磁性隧道结阻态,实现逻辑功能。
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