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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利减少读串扰的偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119418741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510134.8，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权减少读串扰的偏置电路是由杨光军设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少读串扰的偏置电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种减少读串扰的偏置电路，在对选定的存储单元的读操作中，控制装置用于根据读使能信号实现对未选定存储位的控制栅电压和字线电压进行控制，包括：当读使能信号为高电平时，将高电平持续的第一时间段内的未选定存储位的控制栅电压设置为第一高电压以及将字线电压设置为第二高电压，第一高电压保证未选定存储位的第一栅极结构所控制的沟道区的区域段导通以及第二高电压保证第二栅极结构所控制的沟道区的区域段导通；当读使能信号为低电平时，将低电平持续的第二时间段内，将第一、二高电压调节为中电压，中电压的范围为第一、二高电压之间，用以防止在第二时间段内产生读取干扰。本发明能够减少读串扰的同时减少对速度和功耗的影响。

本发明授权减少读串扰的偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种减少读串扰的偏置电路，其特征在于，包括； 闪存，其包括多个存储单元，各存储单元都采用分离栅浮栅器件； 所述分离栅浮栅器件包括：第一源漏区和第二源漏区，位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅顶部的控制栅； 沟道区位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间且被各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构所覆盖，各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构各控制所述沟道区的一个区域段； 各所述第一栅极结构的所述浮栅作为一个存储位； 各所述第一栅极结构的所述控制栅连接到对应的控制栅线； 各所述第二栅极结构连接到对应的字线； 读电路用于在读操作时为各所述控制栅线提供控制栅电压以及为所述字线提供字线电压；在对选定的所述存储单元的读操作中，控制装置用于根据读使能信号实现对未选定存储位的所述控制栅电压和所述字线电压进行控制，包括： 当所述读使能信号为高电平时，将所述读使能信号保持高电平的持续时间定义为第一时间段，在所述第一时间段内，将所述未选定存储位的所述控制栅电压设置为第一高电压以及将所述字线电压设置为第二高电压，所述第一高电压保证所述未选定存储位的所述第一栅极结构所控制的所述沟道区的区域段导通以及所述第二高电压保证所述第二栅极结构所控制的所述沟道区的区域段导通； 当所述读使能信号为低电平时，将所述读使能信号保持低电平的持续时间定义为第二时间段，在所述第二时间段内，将所述第一、二高电压调节为中电压，所述中电压的范围为所述第一、二高电压之间，用以防止在所述第二时间段内产生读取干扰； 所述控制装置包括：预译码器，其用于将输入的二进制码转换成对应的输出信号；第一、二电平转换器和第一、二驱动电路；所述第一高电压通过所述第一电平转换器、所述第一驱动电路连接到所述控制栅线，所述中电压通过所述第一驱动电路连接到所述控制栅线；所述第二高电压通过所述第二电平转换器、所述第二驱动电路连接到所述字线，所述中电压通过所述第二驱动电路连接到所述字线。

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