长鑫科技集团股份有限公司郭琦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310920579.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郭琦;杨孝东;黄俊杰;张磊设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个沟槽，所述沟槽之间为有源区，所述沟槽中形成有隔离结构；回刻蚀去除部分厚度的所述有源区，在相邻隔离结构之间形成凹槽；在所述凹槽中形成半导体沟道层，所述半导体沟道层的顶部表面与所述隔离结构的顶部表面齐平，所述半导体沟道层用于提高晶体管的载流子迁移率；氧化部分所述半导体沟道层，在所述半导体沟道层的表面形成第一栅氧层。该方法能防止晶体管的边沿区域先于中间区域导通。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个沟槽，所述沟槽之间为有源区，所述沟槽中形成有隔离结构，所述半导体衬底包括第一晶体管区域和第二晶体管区域； 回刻蚀去除所述第一晶体管区域的部分厚度的所述有源区，在相邻隔离结构之间形成凹槽； 在所述凹槽中形成半导体沟道层，所述半导体沟道层的顶部表面与所述隔离结构的顶部表面齐平，所述半导体沟道层用于提高晶体管的载流子迁移率，所述半导体沟道层的材料为硅锗； 在所述第一晶体管区域的半导体沟道层和隔离结构的表面形成保护层；形成所述保护层后，在所述第二晶体管区域的所述有源区表面形成第二栅氧层；刻蚀去除所述保护层，所述保护层各个位置的刻蚀速率一致，氧化部分所述半导体沟道层以在所述半导体沟道层的表面形成第一栅氧层，在氧化部分所述半导体沟道层的同时继续氧化所述第二晶体管区域的所述有源区，以增加所述第二栅氧层的厚度，所述第一栅氧层的厚度小于所述第二栅氧层的厚度。
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