广东工业大学简基康获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411650665.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线及其制备方法是由简基康;禤振扬;孙帅设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种BiBi2Se3Se核壳结构纳米线及其制备方法。该纳米线结构特征为从内到外依次是Bi丝Bi2Se3壳层Se量子点。本发明提供了一种BiBi2Se3Se核壳结构纳米线的制备方法，利用简单的化学气相沉积方法，通过以Bi和Bi2Se3粉末作为生长源，以镀有金Au膜的硅片Si作为生长衬底，在惰性气体作为载气的条件下，加热到一定温度后经反应制备而成。同时，所制备的BiBi2Se3Se核壳结构纳米线不仅具有独特的异质结构，而且形态规整，呈现出典型的一维特征。复合结构中的核壳层和纳米线量子点异质结构所形成的特殊界面，赋予其独特的功能特性。此外，本发明提出的制备方法步骤简便，能够实现快速且大量的合成，同时对环境污染较小，操作简便，具有较强的可推广性。因此，本发明具有重要的研究价值和广阔的应用潜力。
本发明授权一种Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种BiBi2Se3Se核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、以Bi和Bi2Se3粉末作为生长源，以镀有金Au膜的硅片Si作为生长衬底，然后将Bi2Se3粉末置于化学气相沉积设备反应区域的加热中心，Bi粉末置于加热中心上游，距离加热中心2~6cm；Si衬底置于加热中心下游，距离加热中心8~13cm处； S2、排除反应区域内的氧气，再输入惰性气体作为载气，将反应区域的气压维持在一定范围后，加热到630~670℃，经反应而制备得到BiBi2Se3Se核壳结构纳米线，该核壳结构纳米线从内到外依次是Bi丝Bi2Se3壳层Se量子点。
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