中国科学技术大学高南获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种二维铁磁性材料及霍尔器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411720194.2，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种二维铁磁性材料及霍尔器件的制备方法是由高南;汪伟;向学强;邹燕妮;吴彪;汪亚龙;任浩然设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维铁磁性材料及霍尔器件的制备方法在说明书摘要公布了：一种二维铁磁性材料及霍尔器件的制备方法，属于电子材料技术领域，具体包括通过化学气相输运制备出单晶Fe0.29TaS2、通过紫外光刻和磁控溅射制备电极以及通过机械剥离与转移制备霍尔器件。单晶Fe0.29TaS2的制备方法不仅效率高，而且在单晶表面残留的碘和杂质较少。所制备的霍尔器件展现出良好的铁磁性和空气稳定性。在外加磁场的作用下，霍尔器件中可观测到巨大的拓扑霍尔效应。值得注意的是，即使在进行弛豫效应测量之后，拓扑霍尔效应依然稳定存在，显示出优异的稳定性和可靠性。巨大的拓扑霍尔效应所带来的“鲁棒”手性自旋纹理在磁存储、磁信息传输等领域具有应用价值。
本发明授权一种二维铁磁性材料及霍尔器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维铁磁性材料的制备方法，其特征在于，制备得到的二维铁磁性材料为Fe0.29TaS2，制备方法具体包括如下步骤： 1.1：按照摩尔比例为0.45：1：2将Fe、Ta、S混合均匀，放入石英管底部，加入输运剂I2，对石英管进行抽真空并封管； 1.2：在双温区管式炉内生长单晶Fe0.29TaS2，反应区处于高温端，设置温度为980℃；生长区处于低温端，设置温度为920℃；反应区和生长区均以低于1℃min的升温速率升温至设置温度后维持恒温144h，生长完成后自然冷却； 1.3：破开石英管，取出样品，清洗，烘干，得到片状单晶样品，即为Fe0.29TaS2。
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