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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利背面供电芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581347B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411745748.4，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权背面供电芯片封装结构及其制备方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本背面供电芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法，通过第一半导体衬底、第一晶体管层、钝化层、第一信号布线层及第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片，且利用背面供电逻辑芯片堆栈存储芯片，有效缩小封装厚度，减小封装结构尺寸；背面供电逻辑芯片及贯穿第一晶体管层内部的金属柱，可有效缩短传输距离，减少功耗。

本发明授权背面供电芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背面供电芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一半导体衬底； 于所述第一半导体衬底的正面形成第一晶体管层； 于所述第一晶体管层上形成第一信号布线层，且所述第一信号布线层与所述第一晶体管层电连接； 于所述第一信号布线层上形成第一重新布线层，且所述第一重新布线层与所述第一信号布线层电连接； 提供芯片，所述芯片包括叠置的第二半导体衬底、第二晶体管层及复合布线层，所述复合布线层包括第二信号布线层及第二电源布线层，且所述第二信号布线层及第二电源布线层均与所述第二晶体管层电连接； 于所述复合布线层上形成第二重新布线层，且所述第二重新布线层与所述第二信号布线层及所述第二电源布线层均电连接； 将所述第一重新布线层与所述第二重新布线层键合，且所述第一重新布线层与所述第二重新布线层电连接； 自所述第一半导体衬底的背面减薄所述第一半导体衬底； 于所述第一半导体衬底的背面形成钝化层； 形成贯穿所述钝化层、所述第一半导体衬底及所述第一晶体管层的金属柱，且所述金属柱的第一端与所述第一信号布线层及所述第一晶体管层均电连接； 于所述钝化层的表面形成第一电源布线层，且所述第一电源布线层与所述金属柱的第二端电连接； 于所述第一电源布线层的表面形成金属凸块，且所述金属凸块与所述第一电源布线层电连接； 所述芯片为存储芯片；所述第一半导体衬底、所述第一晶体管层、所述钝化层、所述第一信号布线层及所述第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片； 其中，所述第一信号布线层中的金属布线包括用以为所述背面供电逻辑芯片传输信号的金属信号布线以及用以为所述存储芯片传输电源的金属电源布线，所述第一电源布线层中的所述金属布线包括用以为所述第一晶体管层供电的金属布线，且包括为所述金属电源布线供电的金属布线，通过所述金属柱为所述金属电源布线提供电源。

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