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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119667427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411681162.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置是由姜竹林;杨观深;王威设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置，属于半导体技术领域。该测量方法包括：获取单位面积参考电容和HEMT的第一实测栅源电容，单位面积参考电容为单位面积的叠层结构的电容，叠层结构的膜层堆叠结构与HEMT的膜层堆叠结构相同；根据单位面积参考电容和第一实测栅源电容，确定HEMT的等效栅源电容面积；根据第一实测栅源电容和等效栅源电容面积，确定HEMT的单位面积校准电容；根据单位面积校准电容和HEMT的沟道深度，确定HEMT的背景载流子浓度。本公开实施例能有效提高测量得到的HEMT的背景载流子浓度的准确性。

本发明授权高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度的测量方法，其特征在于，包括： 获取单位面积参考电容和高电子迁移率晶体管的第一实测栅源电容，所述单位面积参考电容为单位面积的叠层结构的电容，所述叠层结构的膜层堆叠结构与所述高电子迁移率晶体管的膜层堆叠结构相同； 获取所述高电子迁移率晶体管的沟道中的二维电子气浓度和栅源电容面积校准参数之间的第一对应关系； 根据目标二维电子气浓度和所述第一对应关系，确定目标栅源电容面积校准参数，在所述第一对应关系中，将与所述目标二维电子气浓度对应的绝对值最小的栅源电容面积校准参数确定为所述目标栅源电容面积校准参数，所述目标二维电子气浓度为所述高电子迁移率晶体管的沟道中的二维电子气浓度关于所述栅源电容面积校准参数的加权平均值，或者所述目标二维电子气浓度通过对所述高电子迁移率晶体管的沟道中的二维电子气浓度进行霍尔测试得到； 根据所述单位面积参考电容、所述第一实测栅源电容和所述目标栅源电容面积校准参数，确定等效栅源电容面积； 根据所述第一实测栅源电容和所述等效栅源电容面积，确定所述高电子迁移率晶体管的单位面积校准电容； 根据所述单位面积校准电容和所述高电子迁移率晶体管的沟道深度，确定所述高电子迁移率晶体管的背景载流子浓度； 所述第一对应关系采用以下公式表征： ； ； ； 其中，Cgsnorm0为所述单位面积参考电容，Cgsnorm1为所述高电子迁移率晶体管的单位面积电容，p为所述栅源电容面积校准参数，Ncv为所述高电子迁移率晶体管的载流子浓度，q为电荷量，ε0为真空介电常数，εeff为相对介电常数，V为电压，C为电容，ns为所述二维电子气浓度，z为所述沟道深度； 根据以下公式确定所述等效栅源电容面积： ； 其中，Area1为所述等效栅源电容面积，Cgs1为所述第一实测栅源电容，Cgsnorm0为所述单位面积参考电容，p0为所述目标栅源电容面积校准参数。

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