武汉新芯集成电路股份有限公司李少剑获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利电容结构及其控制方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411808294.0，技术领域涉及：H10D1/66；该发明授权电容结构及其控制方法、半导体器件是由李少剑;蔡建祥;王亢设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容结构及其控制方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种电容结构及其控制方法、半导体器件，电容结构包括：衬底，所述衬底中形成有第二体区；电容器，包括第三源漏极区、第四源漏极区和耗尽层，所述第三源漏极区和所述第四源漏极区间隔地形成于所述第二体区中，所述第三源漏极区和所述第四源漏极区的掺杂类型均与所述第二体区的掺杂类型相反，使得所述第三源漏极区和所述第四源漏极区均与所述第二体区之间形成所述耗尽层。本发明的技术方案使得电容结构满足器件的不同设计需求。
本发明授权电容结构及其控制方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电容结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中形成有第二体区； 电容器，包括第三源漏极区、第四源漏极区和耗尽层，所述第三源漏极区和所述第四源漏极区间隔地形成于所述第二体区中，所述第三源漏极区和所述第四源漏极区的掺杂类型均与所述第二体区的掺杂类型相反，使得所述第三源漏极区和所述第四源漏极区均与所述第二体区之间能够形成所述耗尽层，所述第三源漏极区和所述第四源漏极区作为所述电容器的两个极板，两个所述极板之间的介电层包括所述耗尽层； 第二栅极结构，形成于所述第三源漏极区和所述第四源漏极区之间的所述第二体区上；所述耗尽层的宽度随着所述第二体区和所述第二栅极结构上所施加的电势差的变化而变化，使得所述电容器的电容值发生变化。
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