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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891734.3，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管是由徐苗;李民;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管。该半导体薄膜包括至少一层高迁移率金属氧化物半导体薄膜和至少一层光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜构成的叠层结构；光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜用于淬灭光生载流子；高迁移率金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率大于光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率；光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜在光照情况下和暗态情况下的载流子浓度的差值与光照情况下载流子浓度的比值小于高迁移率金属氧化物半导体薄膜在光照情况下和暗态情况下的载流子浓度的差值与光照情况下载流子浓度的比值。上述方案提高了金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率以及光稳定性。

本发明授权一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，包括： 至少一层高迁移率金属氧化物半导体薄膜； 至少一层光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜，所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜和所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜构成叠层结构；所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜用于淬灭光生载流子； 所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率大于所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率； 所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜在光照情况下和暗态情况下的载流子浓度的差值与光照情况下载流子浓度的比值小于，所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜在光照情况下和暗态情况下的载流子浓度的差值与光照情况下载流子浓度的比值； 所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的化学式为M’Ox’N’Oy’，其中，0.950≤x’≤0.9998,0.0002≤y’≤0.006，x’+y’=1； M’包括In、Zn、Ga、Sn、Zr、Ta、Ti、Hf中的一种元素或者至少两种元素的任意组合； N’包括Ce、Pr、Tb、Dy、Yb中的一种元素或者至少两种元素的任意组合； 所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的费米能级相比所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的费米能级相对于真空费米能级的差值的绝对值小于或等于0.5eV； 其中，所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的费米能级相比所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的费米能级相对于真空费米能级的差值的绝对值的表达式如下： |ΔE|=|ECBMB-EVAC-ECBMA-EVAC|； 其中，|ΔE|为所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的费米能级相比所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的费米能级相对于真空费米能级的差值的绝对值；ECBMB为所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的费米能级；ECBMA为所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的费米能级；EVAC为真空费米能级； 由所述金属氧化物半导体薄膜形成的薄膜晶体管的变化阈值电压的绝对值小于或等于2V。

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