泉州三安半导体科技有限公司张中英获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411582015.3，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由张中英;黄少华;徐瑾;黄秀丽;吴佳楠;于艳玲;唐涛涛;刘飞设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括基板、半导体叠层、绝缘层、第一电极层、第一粘附层和第二粘附层；半导体叠层包括自基板的上表面依次叠置的第二半导体层、有源层和第一半导体层；半导体叠层内至少设置一个凹槽，绝缘层设置于基板与半导体叠层之间，并至少覆盖凹槽的侧壁；第一电极层设置于基板与绝缘层之间，并至少设置于凹槽的侧壁和底壁，与第一半导体层电连接；第一粘附层设置于第一电极层与绝缘层之间，并至少设置于凹槽的侧壁；第二粘附层设置于第一电极层与第一粘附层之间，并至少设置于凹槽的侧壁和底壁。通过在绝缘层与第一电极层之间设置第一粘附层，降低凹槽内黑点出现的比例，提高发光二极管的良率和可靠性。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 基板，所述基板具有相对设置的第一表面和第二表面； 半导体叠层，所述半导体叠层设置在所述第一表面的上方，包括自所述第一表面依次叠置的第二半导体层、有源层和第一半导体层；至少一个凹槽，所述凹槽设置于所述半导体叠层中，且所述凹槽贯穿所述第二半导体层、所述有源层以及至少部分所述第一半导体层； 绝缘层，所述绝缘层设置于所述基板与所述半导体叠层之间，并至少覆盖于所述凹槽的侧壁； 第一电极层，所述第一电极层设置于所述基板与所述绝缘层之间，并至少设置于所述凹槽的侧壁和底壁，与所述第一半导体层形成电连接； 第一粘附层，所述第一粘附层设置于所述第一电极层与所述绝缘层之间，并至少设置于所述凹槽的侧壁； 第二粘附层，所述第二粘附层设置于所述第一电极层与所述第一粘附层之间，并至少设置于所述凹槽的侧壁和底壁。
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