哈尔滨工程大学;中国电子科技集团公司第四十九研究所张庆获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工程大学;中国电子科技集团公司第四十九研究所申请的专利一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119757477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411848885.0,技术领域涉及:G01N27/18;该发明授权一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器及其制备方法是由张庆;阚兴禹;张洪泉;咸婉婷;程啸川;戴卓;王可欣;李心愿;范光磊;戴宁夏;李梦杰;穆胡罗夫·尼古拉伊万诺维奇设计研发完成,并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了:一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器及其制备方法,属于氢气传感器技术领域。为提高氢气传感器的高强度和良好的散热性能,本发明包括基底、镂空区域、三角形气体敏感区域、测量外引线、加热敏感电极和焊盘;基底内的上部区域和下部区域的结构相同,上部区域作为敏感区域,下部区域作为补偿区域;上部区域和下部区域的结构包括在区域中心位置设置的三角形气体敏感区域,三角形气体敏感区域的边的外侧分别布置有镂空区域,三角形气体敏感区域覆盖在加热敏感电极之上,加热敏感电极通过测量外引线分别连接焊盘;焊盘相对于三角形气体敏感区域的顶角线布置,且布置在镂空区域之间;加热敏感电极为涡状线圆盘结构。本发明具有高可靠性。
本发明授权一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器的制备方法,所述一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器包括基底1、镂空区域2、三角形气体敏感区域3、测量外引线4、加热敏感电极5和焊盘6; 所述基底1内的上部区域和下部区域的结构相同,上部区域作为敏感区域,下部区域作为补偿区域;上部区域和下部区域的结构包括在区域中心位置设置的三角形气体敏感区域3,三角形气体敏感区域3的边的外侧分别布置有镂空区域2,三角形气体敏感区域3覆盖在加热敏感电极5之上,所述加热敏感电极5通过测量外引线4分别连接焊盘6; 所述焊盘6相对于三角形气体敏感区域3的顶角线布置,且布置在镂空区域2之间; 所述加热敏感电极5为涡状线圆盘结构; 其特征在于,包括如下步骤: S1.按照基底的尺寸剪切高纯铝箔,得到基底基本外形; S2.将高纯铝箔置于一定浓度的硫酸溶液中,采用阳极氧化的方法在铝箔上增材制造氧化铝膜,再通过MEMS微加工工艺在氧化铝膜上微加工形成具有镂空区域的基底; S3.采用磁控溅射成膜技术,以99.99%纯度的铂金作为靶材,溅射到步骤S2得到的基底上形成1-2微米的铂膜,再通过薄膜光刻刻蚀工艺制作成加热敏感电极、测量外引线和焊盘; S4.称量一定质量的氧化铝骨架、多层碳化钛、石墨炔量子点、分散剂、松油醇制备稳定浆料,然后通过喷墨打印在步骤S3得到的加热敏感电极上制备三角形气体敏感区域; S5.配置一定浓度的硝酸铅溶液,通过滴涂方式在下部区域的三角形气体敏感区域上覆盖去敏剂进行去敏处理,然后进行烧结处理,重复数次后,完成一种基于陶瓷MEMS工艺的氢气传感器的制备。
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