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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411906647.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片是由张福胜;谢梓翔;李春艳;廖勇波;马颖江设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片，终端结构包括：N型衬底；设于N型衬底的结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环，结终端扩展区与结渐变掺杂区连接，结渐变掺杂区的深度沿远离结终端扩展区的方向渐变递减，多个场限环设于结渐变掺杂区远离结终端扩展区的一端，且多个场限环相对结渐变掺杂区的距离渐变递增；结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环内掺杂有P型离子；设于N型衬底的沟槽，沟槽设于距离结渐变掺杂区最远的场限环远离结渐变掺杂区的一侧。通过包括结终端扩展区、结渐变掺杂区、多个场限环、沟槽和多晶硅场板的复合终端结构，可以有效降低芯片最大电场强度，提升器件耐压性能。

本发明授权一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的终端结构，其特征在于，所述终端结构包括： N型衬底； 设于所述N型衬底的结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环，所述结终端扩展区与所述结渐变掺杂区连接，所述结渐变掺杂区的深度沿远离所述结终端扩展区的方向渐变递减，所述多个场限环设于所述结渐变掺杂区远离所述结终端扩展区的一端，且所述多个场限环相对所述结渐变掺杂区的距离渐变递增；所述结终端扩展区、所述结渐变掺杂区和所述多个场限环内掺杂有P型离子； 设于所述N型衬底的沟槽，所述沟槽设于距离所述结渐变掺杂区最远的场限环远离所述结渐变掺杂区的一侧；所述沟槽内淀积有多晶硅； 设于所述N型衬底的P阱区和截止环N+区，所述P阱区与所述结终端扩展区连接，所述截止环N+区设于所述沟槽远离所述场限环的一侧； 设于所述N型衬底表面的氧化层； 设于所述氧化层的目标区域的表面的多晶硅场板，所述目标区域为覆盖所述多个场限环的边沿的预设宽度的区域； 设于所述P阱区的表面、所述结终端扩展区靠近所述P阱区的部分区域的表面、所述多个场限环的上方、所述截止环N+区的表面和所述氧化层中靠近所述截止环N+区的部分区域的表面的金属层。

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