江西理工大学吴子平获国家专利权
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龙图腾网获悉江西理工大学申请的专利一种具备应力缓解作用的片状硅负极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510087832.X，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权一种具备应力缓解作用的片状硅负极及其制备方法是由吴子平;曾杰;赵凌风;胡英燕;王子杭;洪源昆;刘亭;刘先斌设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具备应力缓解作用的片状硅负极及其制备方法在说明书摘要公布了：一种具备应力缓解作用的片状硅负极及其制备方法，涉及一种硅负极材料及其制备方法。通过在低温条件下酸性刻蚀合金硅，使金属元素从合金中脱除，得到均匀分布蜂窝结构的多孔硅颗粒，继而通过物理机械球磨将蜂窝结构多孔硅颗粒破裂，实现孔壁分离，得到平面结构片状硅。经过浆料浇铸和梯度热处理后，在片状硅表面包覆致密碳化保护层。制备的二维片状硅呈现不规则多边形结构，其典型厚度在10‑20nm之间，横向尺寸在0.5‑1.5μm之间，可用作具有应力缓解作用的锂离子电池硅负极。本发明可以提高电极振实密度，同时实现密集和高效的电子离子传输，二维片状硅在锂化过程中处于平面应力状态，具备应力缓解作用，显著改善循环过程中电极的力学性能。
本发明授权一种具备应力缓解作用的片状硅负极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具备应力缓解作用的片状硅负极，其特征在于：通过在低温条件下酸性刻蚀合金硅，使金属元素从合金中脱除，得到均匀分布蜂窝结构的多孔硅颗粒，继而通过物理机械球磨将蜂窝结构多孔硅颗粒破裂，实现孔壁分离，得到平面结构片状硅；经过与有机聚合物前驱体复合后进行浆料浇铸，再进行梯度热处理后，在片状硅表面包覆致密碳化保护层，无需添加额外粘结剂；制备的二维片状硅呈现不规则多边形结构，其典型厚度在10-20nm之间，横向尺寸在0.5-1.5μm之间，可用作具有应力缓解作用的锂离子电池硅负极。
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