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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利带内侧墙结构的U型沟槽栅的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105525.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权带内侧墙结构的U型沟槽栅的制造方法是由刘川;刘华明设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本带内侧墙结构的U型沟槽栅的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种带内侧墙结构的U型沟槽栅的制造方法，形成位于凸出状的每个多晶硅侧壁处的侧墙结构，侧墙结构由多晶硅层的顶端侧壁延伸至外延层中；形成金属前介质层，在金属前介质层上形成第二光刻胶层，光刻打开第二光刻胶层以定义出接触孔的形成位置，利用金属前介质层相对于外层保护层高选择比的刻蚀，形成位于元胞区中且位于两侧墙结构之间的接触孔，接触孔由金属前介质层的上表面延伸至外延层中，去除第二光刻胶层，形成填充接触孔的金属层。本发明在小周期深沟槽MOSFET工艺下，不会因为接触孔光刻关键尺寸或套刻的波动导致接触孔短路到多晶硅层引起器件失效，或者接触孔注入靠近MOS沟道导致器件参数波动，并且能减小栅源电容。

本发明授权带内侧墙结构的U型沟槽栅的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带内侧墙结构的U型沟槽栅的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成第一光刻胶层，光刻打开所述第一光刻胶层使得部分的所述硬掩膜层裸露，以定义出元胞区上和衬底引出区上栅极沟槽的形成位置； 步骤二、刻蚀裸露的所述硬掩膜层至所述外延层裸露形成开口图形，去除剩余的所述第一光刻胶层，继续刻蚀裸露的所述外延层形成深沟槽； 步骤三、在所述深沟槽中形成栅极介电层以及填充剩余所述深沟槽的多晶硅层； 步骤四、去除所述硬掩膜层，所述多晶硅层的顶端相对于所述外延层呈凸出状，利用离子注入形成体区和元胞区上的源区； 步骤五、利用热氧化的方法在所述外延层和凸出状的所述多晶硅层上形成热氧化层，淀积外层保护层，回刻蚀所述热氧化层和所述外层保护层，形成位于凸出状的每个所述多晶硅侧壁处的侧墙结构，所述侧墙结构由所述多晶硅层的顶端侧壁延伸至所述外延层中； 步骤六、形成金属前介质层，在所述金属前介质层上形成第二光刻胶层，光刻打开所述第二光刻胶层以定义出接触孔的形成位置，利用所述金属前介质层相对于所述外层保护层高选择比的刻蚀，形成位于元胞区中且位于两所述侧墙结构之间的接触孔，所述接触孔由所述金属前介质层的上表面延伸至所述外延层中，去除所述第二光刻胶层，形成填充所述接触孔的金属层。

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