长鑫科技集团股份有限公司李浩然获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311693878.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器是由李浩然设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器，该半导体结构包括衬底和字线，其中，衬底包括阵列区和第一外围区，第一外围区位于阵列区在第一方向上的至少一侧，阵列区包括阵列有源区，第一外围区包括第一外围有源区，第一外围有源区的顶面低于阵列有源区的顶面；字线位于衬底内，且沿第一方向延伸，并由阵列区延伸至第一外围区，字线通过其第一端部与第一外围有源区耦接，第一端部和第一外围有源区位于阵列区在第一方向上的同一侧。本公开的半导体结构制造工艺难度较低。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括阵列区和第一外围区，所述第一外围区位于所述阵列区在第一方向上的至少一侧，所述阵列区包括阵列有源区，所述第一外围区包括第一外围有源区，所述第一外围有源区的顶面低于所述阵列有源区的顶面； 字线，位于所述衬底内，且沿所述第一方向延伸，并由所述阵列区延伸至所述第一外围区，所述字线通过其第一端部与所述第一外围有源区耦接，所述第一端部和所述第一外围有源区位于所述阵列区在所述第一方向上的同一侧，所述第一外围有源区的顶面低于所述字线的底面。
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