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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利SONOS存储器的侧墙形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229342.9，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权SONOS存储器的侧墙形成方法是由王宁;张可钢设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本SONOS存储器的侧墙形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SONOS存储器的侧墙形成方法，提供衬底，衬底上具有逻辑区和存储区，在衬底上的逻辑区形成有第一氧化层，存储区上形成有ONO层，ONO层由自下而上依次堆叠的第二氧化层、氮化层、第三氧化层组成，淀积多晶硅层，之后利用光刻、刻蚀的方法图形化多晶硅层形成逻辑区和存储区上的栅极多晶硅层；去除裸露的第三氧化层使其下方的氮化层裸露；将裸露的氮化层以及栅极多晶硅层表面氧化形成第四氧化层，第四氧化层作为第一侧墙材料层；利用淀积、回刻蚀的方法形成后续的侧墙结构。本发明在不损伤衬底的基础上，使SONOS区的ONO层和逻辑区的第一氧化层刻蚀完全，形成有效保护侧墙。

本发明授权SONOS存储器的侧墙形成方法在权利要求书中公布了：1.一种SONOS存储器的侧墙形成方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上具有逻辑区和存储区，在所述衬底上的逻辑区形成有第一氧化层，所述存储区上形成有ONO层，所述ONO层由自下而上依次堆叠的第二氧化层、氮化层、第三氧化层组成，淀积多晶硅层，之后利用光刻、刻蚀的方法图形化所述多晶硅层形成逻辑区和存储区上的栅极多晶硅层； 步骤二、去除裸露的所述第三氧化层使其下方的所述氮化层裸露； 步骤三、将裸露的所述氮化层以及所述栅极多晶硅层表面氧化形成第四氧化层，所述第四氧化层作为第一侧墙材料层； 步骤四、利用淀积、回刻蚀的方法形成后续的侧墙结构；形成所述后续的侧墙结构的方法包括：依次淀积第二、三侧墙材料层，所述第二侧墙材料层为氮化物，所述第三侧墙材料层为氧化层；刻蚀所述第二、三侧墙材料层，所述刻蚀停止在所述第四氧化层上，使其保留在所述栅极多晶硅层的侧壁处形成侧墙结构；继续刻蚀去除裸露的所述第四氧化层和第一、二氧化层。

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