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龙图腾网获悉武汉置富半导体技术有限公司申请的专利一种大容量3D闪存的测试优化方法、系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120279976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510431150.6，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种大容量3D闪存的测试优化方法、系统是由潘玉茜;骆一凡;黄杰;熊建林;肖军设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大容量3D闪存的测试优化方法、系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种大容量3D闪存的测试优化方法、系统，其方法包括：基于参考温度和目标温度，通过分组对目标闪存芯片中的随机存储单元进行多次可靠性测试；分别采集目标芯片在参考温度和目标温度下进行可靠性测试的测试数据，并根据所述测试数据构建数据样本集；基于所述数据样本集和少样本训练方法，训练用于判断闪存芯片是否出现故障的判别器模型；获取目标闪存芯片在目标温度下的可靠性测试下的测试数据，并将所述测试数据输入到判别器模型中，得到目标闪存芯片的测试结果。本发明通过选取特征存储单元及判别器预测目标温度下测试结果优化大容量3D闪存芯片测试流程，少量的测试数据分析得到测试结果，大幅缩短测试时间提高测试效率。

本发明授权一种大容量3D闪存的测试优化方法、系统在权利要求书中公布了：1.一种大容量3D闪存的测试优化方法，其特征在于，包括： 基于参考温度和目标温度，通过分组对目标闪存芯片中的随机存储单元进行多次可靠性测试； 分别采集目标芯片在参考温度和目标温度下进行可靠性测试的测试数据，并根据所述测试数据构建数据样本集；所述测试数据包括存储位置、读写次数、读写时间和异常信息；其中，所述测试数据至少包括：所选存储单元的原始错误比特数、存储单元经历的编程擦除周期次数、存储单元擦除操作时间、存储单元编程操作时间、存储单元读取操作时间以及read-retry错误比特数和read-retry延迟中的一种或多种； 基于所述数据样本集和少样本训练方法，训练用于判断闪存芯片是否出现故障的判别器模型:将目标芯片在参考温度和目标温度均进行n次可靠性测试的测试数据作为样本，其中n≥1000；将n次参考温度和目标温度的测试数据作为样本，并将在目标温度在m次可靠性测试出现故障的结果作为标签，m＞n；基于所述样本和所述标签，通过少样本训练方法，训练用于判断闪存芯片是否出现故障的判别器模型; 获取目标闪存芯片在目标温度下的可靠性测试下的测试数据，并将所述测试数据输入到判别器模型中，得到目标闪存芯片的测试结果。

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