东京毅力科创株式会社今桥拓巳获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120345058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202480003916.4,技术领域涉及:H10P50/20;该发明授权等离子体处理装置是由今桥拓巳;石川学;熊谷裕贵;佐藤悠贵;河田祐纪;山岸幸司设计研发完成,并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置在说明书摘要公布了:等离子体处理装置包括:腔室;供给第一、第二偏置信号的第一、第二偏置电源;在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器;调节机构;和电路径。基片支承器具有:分别支承基片、边缘环的第一、第二区域;第一、第二区域内的第一、第二偏置电极;和第二区域内的接地的调节电极。调节机构具有:控制第一偏置信号的第一调节机构;在调节电极与第一调节机构之间阻断第二偏置信号的隔离器;和控制第二偏置信号的第二调节机构。隔离器及第一调节机构与第二调节机构并联连接且与调节电极连接。电路径将第一、第二偏置电源与第一、第二偏置电极连接。
本发明授权等离子体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括: 腔室; 第一偏置电源,其构成为能够供给第一偏置信号; 第二偏置电源,其构成为能够供给第二偏置信号; 基片支承器,其在所述腔室内支承基片和边缘环; 阻抗调节机构;和 电路径, 所述基片支承器构成为具有: 支承所述基片的第一区域; 设置在所述第一区域的周围,支承所述边缘环的第二区域; 设置在所述第一区域内的第一偏置电极; 设置在所述第二区域内的第二偏置电极;和 设置在所述第二区域内且接地的阻抗调节电极, 所述阻抗调节机构构成为具有: 控制所述第一偏置信号的第一阻抗调节机构; 隔离器,其连接于所述阻抗调节电极与所述第一阻抗调节机构之间,阻断所述第二偏置信号;和 控制所述第二偏置信号的第二阻抗调节机构, 所述隔离器和所述第一阻抗调节机构与所述第二阻抗调节机构并联连接,且与所述阻抗调节电极连接, 所述电路径构成为能够将所述第一偏置电源和所述第二偏置电源与所述第一偏置电极和所述第二偏置电极连接。
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